Föreläsning 8 – Bipolära Transistorer I

Slides:



Advertisements
Liknande presentationer
Föreläsning 5 – Fälteffekttransistor II
Advertisements

Introduktion till halvledarteknik. Innehåll –6 Övergångar (pn och metal-halvledare) 2:a ordningens effekter Metal-halvledar övergångar –6 Fälteffekttransistorer.
De utrikespolitiska målen & väpnade konflikter. * Vilken är den största konflikten i världen idag? * Vilket land spenderar mest pengar på sin militär?
Vad är du för typ av person? (Skriv vid raderna i dina papper)
Neuronens anatomi. Neuronens produktion Mitokondrierna är neuronens kraftverk. De omvandlar socker och syre till energi. DNA innesluts av cellkärnans.
Elektricitet Ordet elektricitet härstammar från grekiska ordet elektron som betyder bärnsten. När man gnider bärnsten så kan den dra(attrahera) till sig.
Fysik 2 100p Obligatorisk på inriktning Naturvetenskap Valbar på teknikprogrammet.
Föreläsning 5 – Fälteffekttransistor II Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 Fälteffekt Fälteffekt Tröskelspänning Tröskelspänning Beräkning av.
Induktion Vad är induktionsström? Vad påverkar hur stor strömmen blir?
VÄLKOMNA. Agenda 1Presentation av ledarteamet 2Våra mål och planer på kort och lång sikt 3Skånes fotbollsförbunds föräldrabud 4Kommunikation 5Ledarförstärkningar.
STUDIETEKNIK Hur lär man sig?. H ÄLSA - Försök att få så bra sömn som möjligt - Ät ordentligt, mindre socker - Träna och promenera - Försök att få en.
Benjamin Franklin upptäckte att åska är elektricitet.
Vattenrening.
SVMF Höstmöte 2016 Vad händer i Sverige
Kort om | skötselråd.
ELLÄRA Göran Stenman, Ursviksskolan 6-9, Ursviken –
Att dras in mot föremålets mitt
Introduktion till halvledarteknik
Inför det muntliga nationella provet i svenska
Föreläsning 4– (MOS)-Fälteffekttransistor I
Väder.
Konsten att läsa skönlitteratur
Konsten att läsa sakprosa
Mekanik och elektronik
Datorkomponenter Mukhlis Yunis.
BEMÖTANDE - inledning Bästa Heby = utveckla och säkerställa god kvalitet inom kommunens alla verksamheter. Målbild – vem är vi till för? Detta är ett stödmaterial.
Introduktion till halvledarteknik
labuppställning LABUPPSTÄLLNING FÖR HÖGSPÄNNIGSPROV
Hållbara energilösningar
Vattenrening.
Pedagogen och det entreprenöriella lärandet
Pedagogen och det entreprenöriella lärandet
Pedagogen och det entreprenöriella lärandet
Svenska Föreningen för Barn- och Ungdomspsykiatri
Det här arbetar vi med för att du ska kunna nå kunskapskraven
Balanserad hand öppning i NT
Om Jordklotets historia
Genomgång av Ögats delar och deras funktioner
Lärare Mats Hutter Leif Hjärtström
Ellära och magnetism.
Föreläsning 1, Komponentfysik 2014
Föreläsning 9 – Bipolära Transistorer II
Lärare Mats Hutter Leif Hjärtström
Föreläsning 11 – Fälteffekttransistor II
Föreläsning 6: Opto-komponenter
Föreläsning 4 – pn-övergången
Bedömning för lärande 31/10
Mobiltelefonins utveckling
Föreläsning 12 – Fälteffekttransistor II
Lärare Mats Hutter Leif Hjärtström
Föreläsning 13 – Fälteffekttransistor III
Föreläsning 3 – Extrinsiska Halvledare
- Tobaksfri utmaning, för tobaksfria ungdomar
BEFOLKNING Johannes Olsson, Annan, Övriga skolor –
Kombinatoriska byggblock
Digitalteknik 3p - Kombinatoriska Byggblock
Digitalteknik 3p - DA- och AD-omvandling
Föreläsning 4 – pn-övergången
Vad måste jag kunna? SFI kurs D.
EXEMPEL Ökade välfärdskostnader Brännpunkt Konsekvenser för staden
Digitala CMOS-grindar
Datorseende.
Föreläsning 13 – Fälteffekttransistor III
Led- och muskelmottagning
Föreläsning 7 – pn-övergången III
Tips för det praktiska ledarskapet
Ersättningar 2019 Vårdval vårdcentral
Information om lagförslag: medicinsk bedömning inom 3 dagar
Supportstuga: Medarbetarkopplingar
Digitalisering handlar inte om IT utan om ett sätt att tänka: öppenhet och samarbete eller göra allt själv bakom lyckta dörrar? Bättre och effektivare:
Presentationens avskrift:

Föreläsning 8 – Bipolära Transistorer I Funktion bipolär transistor Geometri npn DC operation, strömförstärkning Operationsmoder Early-effekten pnp transistor G. Balla 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Minnen: Flash, DRAM Optokomponenter MOSFET: strömmar pn-övergång: strömmar MOSFET: laddningar pn-övergång: Inbyggd spänning och rymdladdningsområde Dopning: n-och p-typ material Laddningsbärare: Elektroner, hål och ferminivåer Halvledarfysik: bandstruktur och bandgap Ellära: elektriska fält, potentialer och strömmar 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Ideal transistor – spänningsstyrd strömkälla iin Iout Iout + + Vin k∙Vin Vout Ökande Vin - - Tre-terminal komponent Ideal Transistor Inspänning: Vin Utström: Iout=k∙Vin - oberoende av Vout Vin oberoende av Vout – isolation! Vout Hur konstruerar vi en bipolär transistor? Varför behöver en transistor biaseras? 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Npn-transistor från två pn-övergångar! Varför blir en npn-övergång en transistor? Vilken karakteristik förväntar vi oss? 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Framspänd pn-övergång n=npo×exp(Ua/kT) I UA EFn eUa -dn dp N P Ua 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Backspänd pn-övergång 𝑛 𝑝 = 𝑛 𝑖 2 𝑁 𝐴 n=npo×exp(Ua/kT) I n ≈ 0 UA EFn eUa UA I -dn dp N P P N Ua 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014 -|Ua|

Bipolär transistor: npn n=npo×exp(Ua/kT) n ≈ 0 N P E B C EFn dp -dn eUa IC IB Framspänd emittor-bas Injecerar elektroner Styrs av UBE Backspännd bas-kollektor ”Drar” ut elektroner : oberoende av UBC 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Bipolär transistor: npn Elektron diffusionsströmmar IC UBE ökar UCE ökar UCE 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Repetition - diffusionsströmmar In konstant: n(0)>>n(WB) n(0) n(WB) x WB 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

npn bipolär transistor, geometri & dopningar Emitter Bas Kollektor Dopning Donator N-typ WE WB WC NDE N NDE P NAB N NDC Emitter AcceptorP-typ NAB - - + + Bas UBE UBC NDC Kollektor 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Aktiv Mod – Bas & Kollektorströmmar IC UBC Kollektor IB Bas UCE UBE Emitter IE Tunn bas! Låg basdopning! Hög Emitterdopning! Bas-emitter framspänd: Flyter både hål (bas) och elektron (kollektor) ström! Stor strömförstärkning: NAB < NDE. WB << WE Gäller om UCE - UBE > 0 : Bas-kollektor ska vara backspänd! 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Exempel – npn transistor i aktiv mod Beräkna b ! Dopning & Geometri: NDE = 1025 m-3 NAB = 1024 m-3 NDC = 1023 m-3 A=104 µm2 WB = 0.5 µm, WE=WC= 5 µm Konstanter: µn = 0.135 m2/Vs µp = 0.045 m2/Vs ni=1016 m-3 VT=25.6 mV Spänningar: UCE = 1.7 V 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Aktiv Mod – Två-port vid DC - Storsignal Samma I0 som för en diod Kollektor – bas ska vara tillräckligt backspänd: UCE > UBE + 0.3 IC oberoende av UCE! IB IC Bas Kollektor UBE bFIB UCE emitter 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Bipolär transistor: npn – aktiv mod IC VBE=0.816V UBC Kollektor VBE=0.810V IB Bas UCE VBE=0.798V UBE Emitter IE VBE=0.781V VBE=0.0V UBE > 0.7V UCE-UBE > 0.2-0.3V 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

1 minuts öving – Termisk stabilitet En bipolär transistor biaseras med UBE=0.7V vid T=300K Ökar/Minskar strömmen om T ökar till 340K? Varför kan det leda till att transistorn går sönder? 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Early-effekten – basviddsmodulation Emitter Bas Kollektor UCE=5V UCE=20 V WB,eff N NDE P NAB N NDC IC UBE UBE = 0.7 V 2 1 UCE 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Early-effekten – basviddsmodulation IC UBE -UA 2 1 UCE UA - Earlyspänningen Tunn bas! Låg basdopning! Hög Emitterdopning! Karakteriseras med UA : Earlyspänning Stor UA – låg utgångskonduktans (bra!) Tjock bas! Hög basdopning! 𝑈 𝐴 ∝ 𝑊 𝐵 𝑁 𝐴𝐵 Högt b och högt UA är svårt! 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2014

Föreläsning 8, Komponentfysik 2013 Operationsmoder UBC +UBE - +UBC - Bottnad +UBE - +UBC - Inverterad IB stor IC liten Ic beror på UBC Strypt Normal, Aktiv Mod UBE +UBE - +UBC - +UBE - +UBC - IC≈IB≈I0 ≈0 A —Hålkoncentration —Elektronkoncentration 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2013

Bipolär transistor: bottnad IB = 3 mA Aktiv IB =2 mA IB = 1mA UBE > 0.6V IB ≈ 0mA Strypt UCE > 0.2V 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2013

pnp bipolär transistor, geometri Emitter Bas Kollektor Aktivt Mod: UBE < 0 UBC > 0 UCE < 0 IE flyter in i emittern IC flyter ut ur kollektorn IE P NAE N NDB P NAC IC VBE < 0 VBC > 0 IB 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2013

Strömmar: pnp transistor i aktiv mod Alla halvledare har µn > µp PNP har alltid sämre prestanda än NPN! Kisel: bpnp / bnpn ≈ 0.1 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2013

Föreläsning 8, Komponentfysik 2012 Sammanfattning b, hfe: Strömförstärkning NAB – Acceptor dopning Bas (m-3) NDE – Donatordopning emitter (m-3) NDC – Donatordopning kollektor (m-3) UA – Earlyspänning (V) 2019-02-23 Föreläsning 8, Komponentfysik 2012