Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.1 CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor (nMOS och pMOS) nMOS-transistorn.

Slides:



Advertisements
Liknande presentationer
ELLÄRA Kapitel 3. Efter avsnittet ska du:  veta vad som menas med att ett föremål är elektriskt laddat  kunna förklara vad elektricitet är  veta vad.
Advertisements

Transienta förlopp är upp- och urladdningar
Elektroniska filter William Sandqvist En verklig signal … Verkliga signaler är svårtolkade. De är ofta störda av brus och brum. Brum.
Introduktion till växelström
© Anders Broberg, Ulrika Hägglund, Lena Kallin Westin, 2003 Datastrukturer och algoritmer Föreläsning
Digitalteknik 7.5 hp distans: VHDL del 1 V:1.1
Ellära Fysik 1 / A Översiktlig beskrivning av en del av innehållet i Ellära – Fysik A För djupare studier hänvisar jag till kurslitteratur som finns.
EDA Digital och Datorteknik
Byggsats Happy Birthday
Minnesteknologier Teknologi Accesstid Kostnad $/GB SRAM 1 ns 1000 DRAM
William Sandqvist Maurice Karnaugh Karnaugh-diagrammet gör det enkelt att minimera Boolska uttryck! William Sandqvist
”Digital” IC konstruktion
Spolen och Kondensatorn motverkar förändringar
El- och elektronik.
BUSSKRETSAR eller busshanteringskretsar. Det mest centrala i en dator anses vara huvudbussen Ordet buss kommer från latinets omnibus = ”till för alla”
William Sandqvist Metalldetektorn Alla ”förluster” (även virvel-strömsförluster i metaller) sammanfattas av symbolen r ! Järnföremål påverkar.
Laplacetransformering av elektriska kretsar (komplement till Kap 3 ”Modellering av dynamiska system”) Vi antar att alla begynnelsevärden är noll vid t=0.
Styrteknik 7.5 hp distans: Programmering med IEC PLC1B:1
Digitalteknik 7.5 hp distans: 5.1 Generella sekvenskretsar 5.1.1
Elkraft 7.5 hp distans: Kap. 2 Transformatorn 2AX:1
Förstärkares gränsfrekvenser
Radiorör och transistor
Fysik och teknik – hand i hand
IE1206 Inbyggd Elektronik F1 F2
Transistorn – en introduktion Jonny Johansson. Agenda Då och nu Hur ser en den ut? På djupet om CMOS Grindar.
Tekniska system Spisplatta.
Digitalteknik 7.5 hp distans:10.1 D/A-omvandlare 10.1
Digitalteknik 7.5 hp distans: Realisering av logik med PLD och VHDL1.4.1 En kretsrealisering med VHDL består av fyra huvudmoment Specifikation Beskrivning.
Elkraft 7.5 hp distans: Kap. 5 Faskompensering 5:1
Nätaggregat(stationär) batteri (bärbar)
Digitalteknik 7.5 hp distans: 4.6 Adderare 4.45 Adderare Addition av två tal innebär att samma förfarande upprepas för varje position i talet. För varje.
Förra föreläsningen: Coulumbs lag Elektrisk fältstyrka: (V/m)
DIGITAL DESIGN INLEDNING Allmänt och kursens hemsidor Analogt och digitalt Booleska variabler Binära tal Positiv och negativ logik (Aktiv hög och låg logik)
Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.3 nMOS-inverteraren 6:2.1 nMOS-inverterare med passiv pull-up nMOS innehåller enbart nMOS-transistorer OBS vid låg utgång.
Elkraft 7.5 hp distans: Kap. 7 Trefas kraftöverföring 7:1 Snödroppar, 29 februari 2008 Ullvi, Leksand.
Vad är elektricitet? Vad är elektricitet?
Kapitel 3 ELEKTROMAGNETISM.
”Digital” IC konstruktion
GE-stegets gränsfrekvenser log f log |A| fufu 20 dB/dekad föfö Passband Undre gränsfrekvens Övre gränsfrekvens.
Föreläsning 2 ITP Lisa Brouwers.
Digitalteknik 7.5 hp distans: VHDL del 2 V2:1 Tillståndsmaskin, Moore-typ Kopior från VHDL för konstruktion, Studentlitteratur.
Digitalteknik 7.5 hp distans: Ofullständigt specifierade funktioner 4.27.
Digitalteknik 7.5 hp distans: Talsystem och koder 1.3.1
Förra föreläsningen: Konservativt kraftfält, rotationsfria fält Energipotential Elektrostatisk potential och fältstyrka Spänning Kondensatorn Energiuppladdning.
Förra föreläsningen: Gauss sats Konservativt kraftfält, rotationsfria fält Energipotential Elektrostatisk potential och fältstyrka Spänning Kondensatorn,
Förra föreläsningen: Transformatorn
IF1330 Ellära Växelströmskretsar j  -räkning Enkla filter F/Ö1 F/Ö4 F/Ö6 F/Ö10 F/Ö13 F/Ö15 F/Ö2F/Ö3 F/Ö12 tentamen William Sandqvist F/Ö5.
Ellära och magnetism.
Föreläsning 5 – Fälteffekttransistor II
IE1206 Inbyggd Elektronik Transienter PWM Visare j  PWM CCP KAP/IND-sensor F1 F3 F6 F8 F2 Ö1 F9 Ö4F7 tentamen William Sandqvist PIC-block.
Dessutom leder de värme väldigt väl. Leder ström Har metallglans
Förra föreläsningen: Gauss sats Konservativt (kraft)fält, rotationsfria fält Energipotential Elektrostatisk potential och fältstyrka Spänning Kondensatorn,
Elektronik Viktor Öwall, Digital ASIC Group, Dept. of Electroscience, Lund University, Sweden-
Introduktion till halvledarteknik. Innehåll –6 Övergångar (pn och metal-halvledare) 2:a ordningens effekter Metal-halvledar övergångar –6 Fälteffekttransistorer.
Kretsar och kopplingar För att en krets ska fungera så behöver den vara sluten. En krets består av ledare (som an leda ström) och olika komponenter/delar.
Mekanik och elektronik. Mekanik Christopher Polhem ”Svenska mekanikens fader” Christopher Polhem ”Svenska mekanikens fader” Isac Newton Newtons lagar.
Programstruktur (distans)
åk1 HT Vecka Vecka 44-2 VT Vecka 3-12 Vecka 13-22
Föreläsning 4– (MOS)-Fälteffekttransistor I
Introduktion till halvledarteknik
Föreläsning 11 – Fälteffekttransistor II
Föreläsning 12 – Fälteffekttransistor II
Föreläsning 13 – Fälteffekttransistor III
Föreläsning 8 – Bipolära Transistorer I
Kombinatoriska byggblock
Kombinatoriska byggblock
Introduktion till ASIC
Digitala CMOS-grindar
Föreläsning 13 – Fälteffekttransistor III
Föreläsning 7 – pn-övergången III
Presentationens avskrift:

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.1 CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor (nMOS och pMOS) nMOS-transistorn

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.2 pMOS-transistorn

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.3

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.4

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.5 nMOS-transistor anrikningstyp => leder ström om VG > VT Utarmningstyp innebär att kanalen är (svagt) ndopad => leder ström för VG =0

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.6 pMOS-transistorn anrikningstyp och utarmningstyp

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.7 Kapacitanser hos en MOS-transistor För en plattkondensator gäller att C = ytan / avståndet

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.1 MOS-transistorn6:1.8 Kapacitanserna för MOS-transistorer ca pF

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.2 CMOS-inverteraren6:1.9 CMOS-inverteraren: pMOS och nMOS i samma halvledarchip Normalt används MOS av anrikningstyp Tekniken innebär snabb, strömsnål och kompakt konstruktion

Digitalteknik 7.5 hp distans6.2 CMOS-inverteraren 6:1.10 nMOS leder om: VG > 4 V = ”etta” pMOS leder om: VG < 1 V = ”nolla”

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.2 CMOS-inverteraren 6:1.11

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.2 CMOS-inverteraren 6:1.12 ”Sänk-ström” I sink ”Source-ström” I source

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.2 CMOS-inverteraren 6:1.13 Dynamiska egenskaper Alla belastningskapacitanser är ersatta med en sammanslagen kapacitans CL

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.2 CMOS-inverteraren 6:1.14 När utgången går hög blir kondensatorn uppladdad till Vdd När utgången går låg blir kondensatorn urladdad

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.2 CMOS-inverteraren 6:1.15 Upp- och urladdning av en kondensator via motstånd, RC-krets

Digitalteknik 7.5 hp distans: 6.2 CMOS-inverteraren 6:1.20