Ladda ner presentationen
Presentation laddar. Vänta.
1
Föreläsning 4– (MOS)-Fälteffekttransistor I
Geometri Grundläggande funktion Utarmning / svag inversion / stark inversion Tröskelspänning Föreläsning 4, Komponentfysik 2016
2
Fälteffekttransistor - nMOSFET, DC
Mättnadsområdet Linjära området Vgs-VT = 4 V Vgs-VT = 3 V Vgs-VT = 2 V Vgs-VT= 1 V Vgs<VT Drain IDS VDS > VGS-Vt Gate + IG=0 VDS + VGS - - IDS Source Föreläsning 4, Komponentfysik 2016
3
Plattkondensator - Fälteffekt
Kriterium för tröskelspänning: Metall Ugs=1V Ugs=0V Ugs=2V Ugs=3V P-typ halvledare Joniserade acceptoratomer (NA) Elektroner Hål Föreläsning 4, Komponentfysik 2016
4
Metal-Oxid-Semiconductor Field Effect Transistor
LG UDS IDS Varför minskar strömökningen?? UDS Föreläsning 4, Komponentfysik 2016
5
Vad sätter tröskelspänningen? Vad sätter storleken på Uth?
Vanlig kondensator: Fria elektroner (QN) i en nMOSFET Kapacitans plattkondensator (m-2): Vad sätter storleken på Uth? Halvledare: Fria laddningar: elektroner och hål Fasta laddningar: joniserade dopatomer Oxidkapacitansen Föreläsning 4, Komponentfysik 2016
6
Repetition: Ferminivå och laddningsbärare
EC EC EC EF Ei Ei Ei EF EF EV EV EV Ei ln(1)=0 n=ni exp((EF-Ei))/kT [ = ni exp(-eFF)/Ut om EF < Ei ] p=ni exp((Ei-EF))/kT [ = ni exp(eFF)/Ut om EF < Ei ] Föreläsning 4, Komponentfysik 2016
7
Elektrostatik: Laddning och elektrisk potential
z dp -NA x U dp x E EC dp EV x Föreläsning 4, Komponentfysik 2016
Liknande presentationer
