Föreläsning 5 – Fälteffekttransistor II 16-04-061Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 Fälteffekt Fälteffekt Tröskelspänning Tröskelspänning Beräkning av.

Slides:

Advertisements

Liknande presentationer

Syror, baser och indikatorer

Advertisements

Cold Spray – En ny reparationsmetod inom flygindustrin FLYGTEKNIK 2010.

ELLÄRA Göran Stenman, Ursviksskolan 6-9, Ursviken –

Förra föreläsningen: Demonstrationer av interferens Modbegreppet Vågledare, optisk fiber Rektangulär hålrumsvågledare Dispersion Koaxialledare Dämpning.

Förra föreläsningen: Laddning — elementarladdning ≈ 1, C

Föreläsning 5 – Fälteffekttransistor II

Introduktion till halvledarteknik. Innehåll –6 Övergångar (pn och metal-halvledare) 2:a ordningens effekter Metal-halvledar övergångar –6 Fälteffekttransistorer.

., nm,,.. nmlnbb Lnkbhbc v s.

Elektricitet Ordet elektricitet härstammar från grekiska ordet elektron som betyder bärnsten. När man gnider bärnsten så kan den dra(attrahera) till sig.

Induktion Vad är induktionsström? Vad påverkar hur stor strömmen blir?

Elektrolys Elektrokemi 2 Höstens sista kemiföreläsning.

MÅL 2015 Vinna serien. Punkter för att nå vårt MÅL Ge järnet på träning Gör maximal insats i alla övningar och spelmoment på träningen. Använd samma energi,

Magnetism. Magneter har två poler Den röda sidan kallar nordpol och den vita kallas sydpol.

Introduktion till halvledarteknik. Innehåll –4 Excitation av halvledare Optisk absorption och excitation Luminiscens Rekombination Diffusion av laddningsbärare.

Benjamin Franklin upptäckte att åska är elektricitet.

Tal, mönster och räkning

Kemisk bindning Ke1 Kap 9.

Kap 2 - Algebra och ickelinjära modeller

Nytt sätt att jobba leder till att fler överviktiga hittas!

ELLÄRA Göran Stenman, Ursviksskolan 6-9, Ursviken –

Introduktion till halvledarteknik

KRISTALLBINDNING.

INFÖR NATIONELLA PROVET

Kurvor, derivator och integraler

Föreläsning 4– (MOS)-Fälteffekttransistor I

Förändringsfaktor på svart nivå

Företagande Uppgifter.

INFÖR NATIONELLA PROVET

Mekanik och elektronik

Introduktion till halvledarteknik

Introduktion till halvledarteknik

Hållbara energilösningar

ATOMEN Atomen är odelbar!

PH-skalan Vi säger att pH 7 är neutralt, samma sak gäller för pH 6 och pH 8. Om pH-värdet är under 6 säger vi att det är surt. Om pH-värdet är över 8 säger.

Elektricitet ELEKTRICITET.

Släktingarna som påverkade fysikens utveckling

Lärare Mats Hutter Leif Hjärtström

Ellära och magnetism.

Föreläsning 1, Komponentfysik 2014

Föreläsning 9 – Bipolära Transistorer II

Elkunskap 2000 kap 8 Ledare och isolatorer

Y 3.1 Omkrets och area 9 cm2 Geometri i två dimensioner

Lärare Mats Hutter Leif Hjärtström

Föreläsning 11 – Fälteffekttransistor II

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Föreläsning 4 – pn-övergången

Y Enheter för volym En sträcka har en dimension. Den har en längd som kan anges i t ex enheten en centimeter (1 cm). 1 cm En yta har.

Geometri Kapitel 5.

EU-finansierat Smart City projekt

Föreläsning 12 – Fälteffekttransistor II

Elektrokemi Elektroner i rörelse.

GRNMATC – KAP 6 NEGATIVA TAL.

Föreläsning 13 – Fälteffekttransistor III

Föreläsning 3 – Extrinsiska Halvledare

Lektion 3 - solaktiviteten II

Tobak - Lektion 2 Åk 4-6.

Digitalteknik 3p - Kombinatoriska Byggblock

Föreläsning 4 – pn-övergången

Föreläsning 8 – Bipolära Transistorer I

Digitala CMOS-grindar

Föreläsning 13 – Fälteffekttransistor III

Algebra och icke-linjära modeller

Föreläsning 7 – pn-övergången III

Salter och metalloxider Kap 5

RESONEMANGSUPPGIFTER MED * KAPITEL 5

Presentationens avskrift:

Föreläsning 5 – Fälteffekttransistor II Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 Fälteffekt Fälteffekt Tröskelspänning Tröskelspänning Beräkning av strömmen Beräkning av strömmen

Elektrostatik: Laddning och elektrisk potential Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 Potential:Laddning: x  dpdp -N A x U dpdp x E dpdp ECEC EVEV

Energiband för en nMOSFET – Vad sätter U th ? Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 LGLG U DS ECEC EVEV x  EFEF EiEi Metall Positiv potential på Gaten – sänker E f i metallen Isolatorn har stort bandgap – ingen ström. E F konstant i halvledaren Oxid Halvledare

Energiband för en nMOSFET – Utarmning Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 LGLG ECEC EVEV x  EFEF EiEi dpdp dpdp eU yta -eN A +eU GS n p <<p p <<N A pp=NApp=NA +U GS eU ox

Energiband för en nMOSFET – intrinsisk yta Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 LGLG ECEC EVEV x  EFEF EiEi dpdp dpdp eU yta -eN A +eU GS +U GS n p =p p =n i <<N A eU ox

Energiband för en nMOSFET – svag inversion Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 LGLG ECEC EVEV x  EFEF EiEi dpdp dpdp eU yta -eN A +eU GS +U GS eU ox

Energiband för en nMOSFET – stark inversion: U GS =U TH Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 LGLG U DS ECEC EVEV x  EFEF EiEi dpdp dpdp eU yta -eN A +eU GS +U GS Många fria laddningar vid ytan! eU ox eFeF eFeF

Stark inversion: U GS >U TH Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 ECEC EVEV x  EFEF EiEi dpdp -eN A eFeF eU ox  dpdp -eN A x eFeF eU ox eU yta

Fria laddningar för U GS > U TH : Q N Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 LGLG ECEC EVEV x  EFEF EiEi dpdp dpdp eU yta -eN A +eU GS QNQN Efter stark inversion: d p konstant Q N : Fria elektroner vid ytan För U GS > U th !

Ackumulation – 2 minuter övning Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 ECEC EVEV x  EFEF EiEi Metall Oxid Halvledare ECEC EVEV x  EFEF EiEi Oxid Halvledare -eU GS Hur ser banden / laddningen ut om man lägger en negativ spänning på gaten?

Stark inversion - Sammanfattning: U GS =U TH Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 Oxid-kapacitans per area: (F/m 2 ) (V) Tröskelspänning (V)

Exempel Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 N A =10 23 m -3  0 =8,85  F/m  ox =3,9  r =11,8 e=1,6  As t ox =5 nm Beräkna U TH Vad är d p vid stark inversion?

Sammanfattning Föreläsning 5, Komponentfysik 2016 U th : Tröskelspänning (V) U t : termisk spänning: kT/e=25.8mV vid T=300K E i – intrinsisk ferminivå (~mitten av bandgapet) (eV) e  F : skillnad mellan E i och E F långt från ytan (V) C ox : Oxidkapacitans (F) C ox ’: Oxidkapacitans / area (F/m2) Q N ’: laddningar / area (C/m2)